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BSS139H6327XT现货价格
BSS139H6327XT现货价格
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
BSS139H6327XT
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
BSS139H6327XT
产品描述
MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor
内部编号
173-BSS139H6327XT
生产厂商
Infineon Technologies
库存信息
产品规格
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#1
数量:6366
1+
¥3.0086
10+
¥2.0171
100+
¥1.1214
1000+
¥0.8205
3000+
¥0.7043
24000+
¥0.6017
45000+
¥0.5812
99000+
¥0.547
最小起订量:1
美国加州
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全面支持货到付款
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BSS139H6327XT产品详细规格
规格书
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
源极击穿电压
+/- 20 V
连续漏极电流
30 mA
系列
BSS139
RDS(ON)
14 Ohms
封装
Reel
功率耗散
360 mW
最低工作温度
- 55 C
封装/外壳
PG-SOT-23
栅极电荷Qg
2.3 nC
典型关闭延迟时间
43 ns
零件号别名
BSS139H6327XTSA1 SP000702610
上升时间
5.4 ns
最高工作温度
+ 150 C
漏源击穿电压
250 V
RoHS
RoHS Compliant
下降时间
182 ns
工厂包装数量
3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
250 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.1 V
宽度
1.3 mm
Qg - Gate Charge
3.5 nC
产品
MOSFET Small Signal
品牌
Infineon Technologies
通道数
1 Channel
晶体管类型
1 N-Channel
正向跨导 - 闵
60 mS
Id - Continuous Drain Current
100 mA
长度
2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance
7.8 Ohms
通道模式
Depletion
身高
1.1 mm
典型导通延迟时间
5.8 ns
Pd - Power Dissipation
360 mW
技术
Si
BSS139H6327XT系列产品
型号
厂家
产品描述
BSS139H6327XTSA1
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS139H6906XT
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS139 H6906
Infineon Technologies
MOSFET CHIPLIEFERUNGEN
BSS139 L6327
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 0.1A
BSS139 L6906
Infineon Technologies
MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 250V .03A
BSS139E6327T
Infineon Technologies AG
N-CH MOSFET SOT23 T&R 3K
BSS139E6327XT
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS139E6906XT
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS139_H6327
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